晶体管元件查询
型号:10N65AS
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】145 W
【管壳温度(Tc)=25 ℃】145 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】10 A
【管壳温度(Tc)=25 ℃】10 A
漏极和源极电压(VDSS):650 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):1 Ω
封装:TO-263
更多N沟道场效应管IRFF131CS30N25A8RNP84N06DLD3SK241IRFBC42RU190N08MDD14N25CLSE55R140GFFHP60N06BJCS5N50RTIPA70R900P7S(70S900P7)2SK280IXFH26N502SK585SP75N18