晶体管元件查询
型号：10N65D-TR
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】156 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】156 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管IRFIZ24SGW110N50W32SK437DH85N08KF7N50PLSGG08R060W3JCS5N50CTIRFP3306PbFIRC6402SK1687FQP3N80CCJQ4410NCE3095K5N62K3IRFZ20