晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：11N80-C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：40 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.9 Ω
封装：TO-220F

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