晶体管元件查询
型号：2N6052
类型：PNP三极管（达林顿带阻尼）
耗散功率（PD）：150 W
集电极电流（IC）：12 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：100 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：100 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：5 V
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：1000 μA
发射极与基极反向漏电流（IEBO）：2000 μA
特征频率（fT）：4 MHz
直流放大系数（hFE）：750~18000
芯片材质：硅
封装：TO-3
更多PNP三极管（达林顿带阻尼）2SB10672SB9392SB1282BDV66D2N6051TIP1252SB638H2SB1137TIP127G2SB14032SB12582SA790M2SB10982SA15492SB794