晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：2SK650
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：0.2 W
漏极电流（ID）：0.12 A
漏极和源极电压（VDSS）：6 V
封装：4-211

更多N沟道场效应管SGT110N50W3DH8004IRF2805STP16NF06FPLNF10N652SK676H5CRST055N08NSG85N12STW7NA1002SK2482JCS5N50FTIRFPG402N7002K(H702K)SVD8N65DHE130N03

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