晶体管元件查询
型号：3CG100B
类型：PNP三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.1 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.03 A
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：25 V
发射极与基极反向击穿电压（BVEBO）：4 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.1 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.1 μA
发射极与基极反向漏电流（IEBO）：0.1 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝0.01 A】0.3 V
【集电极电流（Ic）＝0.01 A】0.3 V
特征频率（fT）：100 MHz
直流放大系数（hFE）：25~270
芯片材质：硅
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