晶体管元件查询
型号：3DD102B
类型：NPN三极管
集电极耗散功率（PC）：2 W
集电极最大耗散功率（PCM）：50 W
集电极最大允许电流（ICM）：5 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：200 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：150 V
发射极与基极反向击穿电压（BVEBO）：4 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：1000 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：2000 μA
特征频率（fT）：1 MHz
直流放大系数（hFE）：>20
芯片材质：硅
更多NPN三极管3DD101C3DD13DDD52DBR300B3DD202B3DD161C3DD160B3DA50F3DD160G3DD13E2SC50683DD159A2SD13432SD9952N5285