晶体管元件查询
型号：3DD176G
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：300 W
集电极电流（IC）：30 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：600 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：400 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：5 V
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：3000 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝15 A】2 V
【集电极电流（Ic）＝15 A】2 V
特征频率（fT）：1 MHz
直流放大系数（hFE）：15~270
封装：TO-3
更多NPN三极管3DD175E2N62773DD175C3DD176C2N56853DD175F3DD176D3DD176F3DD175A3DD176E3DD175D3DD176A3DD176B3DD175G3DD175B