晶体管元件查询
型号：3DD303B
类型：NPN三极管
集电极耗散功率（PC）：30 W
集电极电流（IC）：3 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：100 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：60 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：6 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：500 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：500 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝0.5 A】0.6 V
【集电极电流（Ic）＝0.5 A】0.6 V
直流放大系数（hFE）：50～200
芯片材质：硅
封装：TO-3
更多NPN三极管BD941F2SC38342SD17622SD21292SC3750BU31502SD15852SD23682SD850D898B2SD877BD1792SD3862SC33422SC3979A