晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：3DD50B
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：1 W
集电极最大允许电流（ICM）：1 A
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：50 V
发射极与基极反向击穿电压（BVEBO）：3 V
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：400 μA
直流放大系数（hFE）：≥10
芯片材质：硅

更多NPN三极管2SD1994A3DG84H2N49272SD6682N37343DD52D2N35063DG84FCDQ100112SD774CDQ100442SD9733DD52B2N656ABU125S

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