晶体管元件查询
型号：3DG100D
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.1 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.02 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：40 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：30 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.01 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.01 μA
特征频率（fT）：300 MHz
直流放大系数（hFE）：≥30
芯片材质：硅
更多NPN三极管3DK17A3DG104D3DG140B3DG103C3DK6B3DG103B2N6493DG202BTF3013DG104B3DK3B3DG91B3DG202C3DG103A3DG203B