晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：4N65T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：106 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.6 Ω
封装：TO-220

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