晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：4N80
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】32.9 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.5 Ω
封装：TO-220F

更多N沟道场效应管NCE3095KFHP80N06B2SK42132SK3625LNE06R062IRLZ14BRU20N90FLL101MEFQPF6N60CFDP10N60N2SK2937MTP3055VIRF221IRFP451IRFB4227PbF

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