晶体管元件查询
型号：AOTF8N65
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.15 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管IXFH96N20PFTK80T420P(NCE80T420)IXTH5N95NDB603ALLNSC3400DHE100N03LSC65R280HTECF10N20STW5NA90IRFJ421JCS5N50VTLND20N6018N65CM12N65FLSH65R570GT