晶体管元件查询
型号：AP60T03GJ
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】44 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】44 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】45 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】45 A
漏极和源极电压（VDSS）：30 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.012 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管2SK2601FDP18N50SSP4N60ASTS300KGF1860PHD50N06LT2SK427CM12N65FSGD660N60W3BF256AAON6522KIA2806ADHE90N045RMTP10N60-TFBUZ71AF