晶体管元件查询
型号：CEP80N75
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：75 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.013 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管LSH60R1K4HTSGI660N70W3FQA38N30LNE06R062FHX05XUV3400FMH11N90EFHR02XSTW12N60FLM1011-2FLM8596-8CIRFD2233SK203IRF840FIJCS4N60B