晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：CS20N65
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：250 W
漏极电流（ID）：20 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.5 Ω
封装：TO-3P

更多N沟道场效应管2SK7542SK2647LND20N60IRF36217N80C3KP8N65D14N10FK20SM-9ZJ85N95NE42484AU3N50CS2837ANDAP95T07GP25N052N6763

中文 - English

电子爱好者