晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:CS4N60
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
100 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
4.1 A
漏极和源极电压(VDSS):600 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):2.2 Ω
封装:TO-220

更多N沟道场效应管LSGE06R034W3HTM040N03NE32484AIXFP34N65X22SK2487FQP6N90CLSGG06R098W3IRF6222SK3934IRFK6H450CSD19505KCSIRF2242SK3658KHB9D5N20F2RU6199R

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