晶体管元件查询
型号：CS830A4RD
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：75 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】5 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.25 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管FHF5N60AIPD50R380CE(50S380CE)HY3608P2SK2642LSD70R450GTAOTF474FK20SM-6FDBL9403-F085JCS2N60VJCS4N65CUV1404RIRFJ220DHI3205AIRFZ48NPbFLND16N65