晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：CSJ64N12
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】214 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：75 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0068 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管CJQ07N10IXTK62N25DX200N07TSF5N60MFLC15ME2SK13172SK2674B75NF75IRFBF20LNB20N6017N80C3UV3400MGFC36V4450CS64N90IRFP255

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