晶体管元件查询
型号：DHB100N06
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：100 A
漏极和源极电压（VDSS）：68 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.006 Ω
总耗散功率（Ptot）：145 W
封装：TO-251B
更多N沟道场效应管2SK2348FTP16N06NSTH13NB6CF12N7218DHI90N03P20N60FJDFHP730FQPF6N90COR9013ABUZ15IXFX73N30QIRF422IRCP054SGW160N50W3FLM1112-4C