晶体管元件查询
型号：FQP13N50C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：195 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.48 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IRLZ44NLSH60R650HTSTE250N06JCS20N60CAH2SK719SVD15NE50FLX30MBGI85T03IXTH11N952SK30ATMXP65AN1K2ITHYG035N10NS2PFLS16ME2SK79JCS8N60S