晶体管元件查询
型号：FQP8N65C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管IRF2442SK1113STH60N10MDF5N50FIRFP4110FHR02FH10N65AF2SK2847LSH70R450GTIRLU1202SK281IPB180N04S4-01(4N0401)MGFX38V9095IRFB7437PbFMGF2430