晶体管元件查询
型号：FQPF6N80C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：51 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】5.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】5.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.5 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管FHX16FA/LGIRF443SSH7N60AIRFZ352SK26542SK2715PJD09N03FTP08N50DSSF7N80AIRFAE522SK4085LSSTP7NK80ZFPSTW18N60M2NE32184A-1.1IRC254