晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：HFP12N60U
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】230 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.65 Ω
封装：TO-220

更多N沟道场效应管TK8P25DADH90N035RMTP5N20NCE55H12SSS6N55IRFB4410ZPbFIRFS822AO34042SK1619IRFU11080R900QZMTP10N25FIR2N80LG2SK570SIXFH96N20P

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