晶体管元件查询
型号：HFP830
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.5 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IRFH250FLM5359-8BFHX04XFQP5N90DH3205T2SK2808-01MRAO4406ATK62Z60XIRFP3306PbFSVD7N60FLC08MEMTW6N100EIRF045IRF451BF245B