晶体管元件查询
型号：HY029N10P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】394 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】394 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】270 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】270 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0033 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管SSF7N80ASi2302LSGD04R035STB4NK60ZT4MGF2148GHY029N10BSTW43NM60NDTK8A60WFLL171MEIRFJ431IXTA80N10T2SK1357KS6205DARFP70N06IXFH15N100Q3