晶体管元件查询
型号：HY1001P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】115 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】115 W
漏极电流（ID）：80 A
漏极和源极电压（VDSS）：70 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0085 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管NE345L-10BAO3424MTP5N40IRF333SVD12N60FSGI660N65W3STP4NA60LNH10R1802SK33022SK4145IRFK4J150STH10NC60FIIRLB4132PbF2SK25452SK125