晶体管元件查询
型号：HYG013N03LS1C2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】65 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】65 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 A
漏极和源极电压（VDSS）：30 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0016 Ω
封装：PDFN5x6-8L
更多N沟道场效应管CSF2N60KIA2803AIRFSL33N15DBSS91IRF14053SK183SGT180N60W3JCS8N65FBSML25SCM650N2BNEZ1011-4AIRFP252IRFU4222SK2417MDD4N25IRF100B201