晶体管元件查询
型号：IPA086N10N3G(086N10N)
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】37.5 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】37.5 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】45 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】45 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0086 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管DHE85N055RIRL5402SK423IXFH6N100SSD95N03FCPF16N60FQP8N80C2SK651LSH60R280HTMGFK35V4045IRFS4310PbF2N4302IRFF323ME35N10IRFJ121