晶体管元件查询
型号：IPB120N06S4-H1(4N06H1)
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】250 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】250 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0024 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管LNSC3400IRFI644IXFX73N30QAO4430BRFL11N70BUK555/60BDHI180N10IRF420IRFF210YMP130N08Q2SK3210FLM7177-12DIRFK4H054JCS7HN60RSSW7N60A