晶体管元件查询
型号:IPI05CN10N
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】300 W
【管壳温度(Tc)=25 ℃】300 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】100 A
【管壳温度(Tc)=25 ℃】100 A
漏极和源极电压(VDSS):100 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.0054 Ω
封装:TO-262
更多N沟道场效应管TK5A60DIRFU214FSW20N50CLSE65R380HTFMH08N80EFDPF18N502SK3163LNC06R2302SK2937SVD2N65IRFU111LNC08R085BUK456/800AFLM5964-14/DFS3KM-14A