晶体管元件查询
型号：IPP120N06S4-H1(4N06H1)
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】250 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】250 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0024 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IXTH50N25T2SK1057DHB1710FMV13N80ELSG65R380GF30N022SK4207IPS70R600P7S(70S600P7)STB11NK50ZT4IRFU121IPW60R041C6(6R041C6)2SK297825N05FHP5N60AIXTA460P2