晶体管元件查询
型号：IRF200B211
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】12 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.17 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管DH150N06SGW190N65SJNCE6020KJCS730BUV3710RSPA15N60C3PHX7NQ60ESVF7N60IRFAG50BUK457-400BIRFZ34NFHP20N602SK439FDHF140N09SGT145N60W3