晶体管元件查询
型号：IRF640B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】139 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】139 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.18 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管SiSS78LDNTK6A60DIXFK44N50Q2SK354SGT145N60W3MDF18N50TK12A60DSGI600N65W3IRFR014SVD3N80FQP3N25AOD406DHF90N045RLND18N50LSG60R950HT