晶体管元件查询
型号：IXFA10N60P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.74 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管IXTH10N100FLK012XPTF060N03MFLM7785-12DIRF620NCE3065K2SK2850-01LNL0605IRFK4H150DHE80N08IRFIP450SSP6N90AFLL35MES85N12RLSF65R380HT