晶体管元件查询
型号：IXFH44N50P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：658 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】44 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】44 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.14 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管SSW5N90ANCE80H15SVF2N60FMTP10N60-TQ2SK428LNG4N65FSC11LF2SK124IRFBF30IRF254STB10NK60ZT4DHE150N06STP10NK70ZSi2300DSLSGC04R035