晶体管元件查询
型号：IXFH60N20
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】60 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】60 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.033 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管IRFG1Z0FDP047N08DH150N06SSH8N802SK2987SMK1060PCRST065N08NBF246CSTP50NF25LSGN04R029MGF1502LNC07R085HIRFI830SPA15N60C3LNH7N65D