晶体管元件查询
型号：IXFK36N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：500 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】36 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】36 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.18 Ω
封装：TO-264
更多N沟道场效应管FTP08N50DLSDN65R950HT2SK1350LSE60R180HTIPI030N10N3MFA174SGU360N70W3LSGN085R065W3SGW145N60W3AOTF474FLK102MH-14SVF4N60ASSH10N90(A)FHP5N60A2SK3570