晶体管元件查询
型号：IXFN100N20
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：520 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.023 Ω
封装：SOT-227B
更多N沟道场效应管WMP14N65C2JCS4N60F2SK1537IRFP342FTA07N60C2SK758IPLU300N04S4-R8(4N04R8)IRFZ30BUK437/400BTSF12N60MMTH5N95SVD7N60IRFB4228PbFIPI60R099CP(6R099P)SVF8N60