晶体管元件查询
型号：IXFN120N20
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：600 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.017 Ω
封装：SOT-227B
更多N沟道场效应管LND08R055W3LSB65R180GTSTW6NA802SK3698-01PTA20N65IRFM450STB6NA602SK1058LNC20N65STP3NA60IRF200P223IRFZ44NSTP6NB90LNN03R031IXFH120N20P