晶体管元件查询
型号：IXFN200N07
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】520 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】520 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 A
漏极和源极电压（VDSS）：70 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.006 Ω
封装：SOT-227B
更多N沟道场效应管YFW20N60A6(20N60AP)DHD3205AIRFJ132IRFK3DC5050N25AOT474STF9NK90ZSTW8NK80Z2SK2674AOTF14N50DMFP84N06N2SK583FLS50MESFP65N06SGT190N65SJ