晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IXFT24N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】24 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.23 Ω
封装：TO-268

更多N沟道场效应管FTP08N50DAOTF11N70NCE80H152SK526FLC301MG-6CEP85N752SK107FHP730IPW60R190C6(6R190C6)SSF7510FHS80N06BBUZ932SK1529DHB3205ASMK0760F

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