晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IXFX26N120P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】960 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】26 A
漏极和源极电压（VDSS）：1200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.5 Ω
封装：TO-247

更多N沟道场效应管STB14NK50Z-12SK1612SGW125N60W3IRFK2F150JCS8N60BSTB55NF06SVD8N602SK1241FQA160N08NCE6020KIRFAE50IRFRC20STP80NF70IXFH24N50FDP52N20

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