晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IXTH11N100
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：250 W
漏极电流（ID）：11 A
漏极和源极电压（VDSS）：1000 V

更多N沟道场效应管CS2837ANDIRFK2D450HSS3N10HUF76129FHP100N03DFLR106XVJCS2N60VFLR104XVMGF0905IRFSZ25MTP10N25CS2N602SK952SSH8N602SK3316

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