晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IXTM4N100
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：125 W
漏极电流（ID）：4 A
漏极和源极电压（VDSS）：1000 V

更多N沟道场效应管FQPF8N65C25N50STW13NB60J310STP3N1502SK666JCS2N60VHY1906BIRFJ143DHE180N10SGU360N60W3TK16A60WLND7N65DSVF7N65CTIRF542

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