晶体管元件查询
型号：IXTP50N25T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】400 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】400 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 A
漏极和源极电压（VDSS）：250 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.06 Ω
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管MTW32N20EIRC531IRFP4710SGF360N60W3IXTH6N90HF5N65TK18A50DOSP8N60CAPT26F120L2SK2654IRFS4710PbFSUP70N03-09BPNE32183A2SK1383SVF7N65CMJL