晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:IXTQ40N50L2
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):540 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
40 A
漏极和源极电压(VDSS):500 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.17 Ω
封装:TO-3P

更多N沟道场效应管FQP10N60CSTU6NA1002SK1242PHP7NQ60ESGB600N60W330N05IPB072N15N3GIRFU422IRFS720STW6NK90ZBUZ33010N60DHB80N08IRF242IRFZ44

中文 - English

电子爱好者