晶体管元件查询
型号：KP8N65I
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】78 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】78 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.62 Ω
封装：IPAK
更多N沟道场效应管LNH05R1552SK1461FQPF3N25J111FLS02WTK12A60D2SK2508SGT360N60W3SGT360N70W3RFP8N20IRF3710PBFIXFX180N10FDH44N50VCRR65T180LSE60R125HT