晶体管元件查询
型号：L2SA812QLT1G(M8)
类型：PNP三极管
耗散功率（PD）：0.2 W
集电极电流（IC）：0.15 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：60 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：50 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：6 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.1 μA
发射极与基极反向漏电流（IEBO）：0.1 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝0.1 A】0.3 V
【集电极电流（Ic）＝0.1 A】0.3 V
特征频率（fT）：180 MHz
直流放大系数（hFE）：120~270
备注：与L2SC1623QLT1G(L5)互补
封装：SOT-23
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